半導體(ti)二極(ji)管(guan)主要是依(yi)靠PN結而工(gong)作的(de)。與(yu)PN結不(bu)可(ke)分(fen)割(ge)的(de)點接觸型和肖特基(ji)型，也被(bei)列入(ru)一般(ban)的(de)二極(ji)管(guan)的(de)范(fan)圍內。包(bao)括這兩(liang)種型號在(zai)內，根(gen)據PN結構造面的(de)特點，把晶(jing)體(ti)二極(ji)管(guan)分(fen)類如下：

　　點接觸型

　　點(dian)接觸(chu)型(xing)二極(ji)管是(shi)在鍺或硅(gui)材(cai)料的(de)(de)單(dan)晶片上壓(ya)觸(chu)一(yi)根金(jin)屬針后，再通(tong)過電流法(fa)而形成(cheng)的(de)(de)。因此(ci)，其PN結的(de)(de)靜電容量小，適(shi)用(yong)于高(gao)頻(pin)電路。但是(shi)，與面結型(xing)相比較，點(dian)接觸(chu)型(xing)二極(ji)管正向(xiang)特(te)性和反向(xiang)特(te)性都差，因此(ci)，不能使用(yong)于大電流和整流。因為構造簡單(dan)，所以價格便宜。

　　面接觸型

　　面接觸(chu)型或稱面積型二(er)(er)極(ji)管的(de)PN結(jie)(jie)是用(yong)(yong)合金法或擴(kuo)散法做成的(de)，由于(yu)這種二(er)(er)極(ji)管的(de)PN結(jie)(jie)面積大(da)，可(ke)承受較大(da)電流，但極(ji)間電容也大(da)。這類器件適(shi)用(yong)(yong)于(yu)整流，而不宜用(yong)(yong)于(yu)高頻率電路中(zhong)。

　　鍵型

　　鍵(jian)型二(er)極管(guan)(guan)(guan)是在(zai)鍺或硅的單晶片上熔金或銀(yin)的細絲(si)而形(xing)成的。其(qi)特(te)性(xing)(xing)介于點接觸(chu)型二(er)極管(guan)(guan)(guan)和合(he)金型二(er)極管(guan)(guan)(guan)之間。與點接觸(chu)型相比較，雖然鍵(jian)型二(er)極管(guan)(guan)(guan)的PN結電(dian)容(rong)量稍有(you)(you)增加(jia)，但正(zheng)向特(te)性(xing)(xing)特(te)別優良(liang)。多作開關用，有(you)(you)時(shi)也被(bei)應用于檢波和電(dian)源整流(liu)（不大于50mA）。在(zai)鍵(jian)型二(er)極管(guan)(guan)(guan)中，熔接金絲(si)的二(er)極管(guan)(guan)(guan)有(you)(you)時(shi)被(bei)稱金鍵(jian)型，熔接銀(yin)絲(si)的二(er)極管(guan)(guan)(guan)有(you)(you)時(shi)被(bei)稱為銀(yin)鍵(jian)型。

　　合金型

　　在N型鍺或硅的(de)(de)單(dan)晶片上(shang)，通過(guo)加入合金(jin)銦、鋁等金(jin)屬(shu)的(de)(de)方(fang)法制作PN結而形成的(de)(de)。正向電壓降小，適于大電流整(zheng)流。因其PN結反向時靜電容量大，所以不(bu)適于高頻(pin)檢波和高頻(pin)整(zheng)流。

　　擴散型

　　在(zai)高溫的(de)(de)P型(xing)(xing)(xing)雜(za)質氣體中，加(jia)熱N型(xing)(xing)(xing)鍺或(huo)硅的(de)(de)單(dan)晶片(pian)，使(shi)單(dan)晶片(pian)表(biao)面的(de)(de)一(yi)部變成P型(xing)(xing)(xing)，以此法(fa)PN結(jie)。因PN結(jie)正向電壓降(jiang)小，適用(yong)(yong)于大電流(liu)(liu)整流(liu)(liu)。最 近(jin)，使(shi)用(yong)(yong)大電流(liu)(liu)整流(liu)(liu)器的(de)(de)主流(liu)(liu)已由硅合金型(xing)(xing)(xing)轉移(yi)到硅擴(kuo)散型(xing)(xing)(xing)。

　　臺面型

　　PN結的(de)(de)(de)(de)制作方法(fa)雖然與擴散(san)型(xing)(xing)相同，但是，只保留PN結及其必(bi)要(yao)的(de)(de)(de)(de)部(bu)分(fen)，把(ba)不必(bi)要(yao)的(de)(de)(de)(de)部(bu)分(fen)用(yong)藥品(pin)腐蝕掉。其剩余的(de)(de)(de)(de)部(bu)分(fen)便呈現出臺(tai)(tai)面(mian)(mian)形(xing)，因(yin)而(er)(er)得名。初期生(sheng)產的(de)(de)(de)(de)臺(tai)(tai)面(mian)(mian)型(xing)(xing)，是對半導(dao)體材料使(shi)用(yong)擴散(san)法(fa)而(er)(er)制成(cheng)的(de)(de)(de)(de)。因(yin)此，又把(ba)這種臺(tai)(tai)面(mian)(mian)型(xing)(xing)稱為擴散(san)臺(tai)(tai)面(mian)(mian)型(xing)(xing)。對于這一類型(xing)(xing)來說，似乎大電流整(zheng)流用(yong)的(de)(de)(de)(de)產品(pin)型(xing)(xing)號(hao)很少，而(er)(er)小電流開關用(yong)的(de)(de)(de)(de)產品(pin)型(xing)(xing)號(hao)卻很多(duo)。

　　平面型

　　在(zai)(zai)半(ban)導體(ti)單晶片(pian)(pian)（主(zhu)要(yao)地是N型(xing)硅(gui)單晶片(pian)(pian)）上，擴散P型(xing)雜質，利用硅(gui)片(pian)(pian)表面(mian)(mian)氧化膜的(de)屏蔽(bi)作(zuo)用，在(zai)(zai)N型(xing)硅(gui)單晶片(pian)(pian)上僅選(xuan)擇(ze)性地擴散一部分而形成的(de)PN結(jie)。因(yin)此，不(bu)需要(yao)為(wei)(wei)調(diao)整PN結(jie)面(mian)(mian)積的(de)藥品(pin)腐蝕作(zuo)用。由于半(ban)導體(ti)表面(mian)(mian)被制作(zuo)得(de)平整，故(gu)而得(de)名。并且，PN結(jie)合(he)的(de)表面(mian)(mian)，因(yin)被氧化膜覆蓋，所以公(gong)認為(wei)(wei)是穩定性好(hao)和(he)壽(shou)命長的(de)類型(xing)。最初，對(dui)于被使用的(de)半(ban)導體(ti)材料是采用外延法形成的(de)，故(gu)又把平面(mian)(mian)型(xing)稱為(wei)(wei)外延平面(mian)(mian)型(xing)。對(dui)平面(mian)(mian)型(xing)二(er)極管而言，似(si)乎使用于大電流(liu)整流(liu)用的(de)型(xing)號很少，而作(zuo)小電流(liu)開關(guan)用的(de)型(xing)號則很多(duo)。

合金擴散型

　　它是(shi)合金(jin)型(xing)的(de)(de)一(yi)種(zhong)。合金(jin)材料(liao)是(shi)容易被(bei)擴(kuo)散的(de)(de)材料(liao)。把難(nan)以(yi)制作(zuo)的(de)(de)材料(liao)通(tong)過(guo)巧(qiao)妙地摻配雜(za)質(zhi)，就(jiu)能(neng)與合金(jin)一(yi)起過(guo)擴(kuo)散，以(yi)便在(zai)已經形成的(de)(de)PN結中獲得雜(za)質(zhi)的(de)(de)恰當的(de)(de)濃度(du)分布。此法適用于制造(zao)高靈(ling)敏度(du)的(de)(de)變容二極管(guan)。

　　外延型

　　用外延面(mian)長(chang)的過程制造PN結而形(xing)成的二(er)極管(guan)。制造時需要非常高超的技術(shu)。因能隨意地控(kong)制雜質的不同濃度的分布，故(gu)適宜于制造高靈(ling)敏度的變容二(er)極管(guan)。

　　肖特基

　　基(ji)本原理是：在(zai)金(jin)屬（例(li)如鉛(qian)）和半導體(ti)（N型硅片）的接觸面上，用已(yi)形成的肖特基(ji)來阻擋反向電壓(ya)。肖特基(ji)與PN結的整(zheng)流(liu)作用原理有(you)根本性的差異(yi)。其耐壓(ya)程(cheng)度只有(you)40V左右。其特長(chang)是：開(kai)關(guan)速度非常快：反向恢復時間trr特別地短(duan)。因此，能制作開(kai)關(guan)二(er)極管和低(di)壓(ya)大電流(liu)整(zheng)流(liu)二(er)極管。